Com relação às memórias do tipo EEPROM, é correto afirmar sobre a tensão de apagamento:

A resposta correta é: “Possui valor elevado e polaridade invertida em relação à de gravação.” Justificativa: As memórias do tipo EEPROM podem ser gravadas e apagadas eletricamente e individualmente para cada célula ao se aplicar entre Dreno e Fonte da referida célula um valor de tensão elevado e de curta duração, com polaridade invertida à utilizada para gravação.