Tendo em vista as memórias do tipo EEPROM, durante o processo de programação, é possível afirmar:

A resposta correta é: “A gravação é feita aplicando-se uma tensão diferente da tensão de operação.” Justificativa: Como essas memórias são construídas utilizando MOSFET com duas portas, sendo uma delas flutuantes, aplicando um pulso curto e de valor elevado entre Fonte e Dreno (em relação ao valor de tensão de operação antes da gravação), o MOSFET passa a estar em corte para o mesmo Vgs.