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A etapa de oxidação é feita em fornos que oxidam o próprio silício da lâmina, transformando-o em SiO2. Tendo isso como base, analise as seguintes afirmações: I. O controle de temperatura em um forno de oxidação deve ser de ±1°C para temperaturas da faixa de 600°C a 1280° II. Durante o processo de oxidação pirogênica, toma-se o cuidado para que o óxido cresça apenas na superfície superior da lâmina, onde serão construídos os circuitos integrados. III. No processo de oxidação térmica, 54% da espessura do óxido é crescida para além da superfície original da lâmina. IV. O aumento da espessura do óxido crescido termicamente se dá inicialmente de forma parabólica e, depois, adquire um comportamento linear. Assinale a alternativa correta:
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A espessura do óxido é um parâmetro muito importante para garantir as características de desempenho de um transistor MOS. Por essa razão, o controle da temperatura do forno de oxidação faz-se crucial, sendo que, na prática, mesmo para temperaturas de 1200°C, exige-se um controle melhor que 1°C, o que corresponde a um controle de temperatura de 0,1%, o que é fantástico. Outra questão importante a se destacar é que, ao se oxidar um material, parte de seus átomos passam a fazer parte do óxido, deixam de ser o material propriamente dito. No caso do silício, ele contribui para a formação do óxido “dando” átomos de silício na proporção de 46% da espessura do óxido que se deseja criar. Videoaula 4 - Oxidação e Dopagem (12min) e slide 9.