A implantação iônica se tornou o processo preferencial de dopagem para obtenção das regiões de dreno e fonte de transistores MOS, pois permite um controle eficaz de dose de cargas

A implantação iônica permite um controle fino da quantidade de cargas implantadas e sua distribuição na lâmina, pois emprega um feixe de partículas carregadas em que se pode controlar com muita precisão a quantidade de cargas implantadas (basta medir uma corrente elétrica e existem equipamentos muitos precisos para isso) e a energia de cada uma dessas cargas (basta medir a tensão de aceleração dessas partículas, também existem equipamentos muitos precisos para isso). Por outro lado, um implantador iônico é muito mais caro do que um forno de dopagem ou oxidação e, por esse motivo, é utilizado apenas em etapas mais críticas, como a construção dos transistores MOS, mas não para criar grandes regiões de materiais dopados. Aula 8 - Implantação (ppt, p. 7,8).