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Analise as afirmativas abaixo e escolha a alternativa correta. I. O processo APCVD, feito à pressão abaixo da atmosférica (vácuo), tem como vantagens o uso de um reator simples e confere uma rápida deposição à baixa temperatura. II. O processo LPCVD, feito à pressão abaixo da atmosférica (vácuo), permite a obtenção de materiais de excelente pureza, mas necessita ser realizado em alta temperatura. III. O processo PECVD, feito à pressão abaixo da atmosférica (vácuo), permite a obtenção de filmes com boa cobertura a degraus e a baixas temperaturas, mas está sujeito a contaminantes e partículas. IV. O processo APCVD, feito à pressão atmosférica, tem como vantagens o uso de um reator simples e confere uma rápida deposição à baixa temperatura. V. O processo LPCVD, feito à pressão abaixo da atmosférica (vácuo), permite a obtenção de óxidos e nitretos de silício, além de silício policristalino.
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O termo “A ou L” PCVD se refere a processos em pressão atmosférica ou baixa (Low) pressão. Note que o PECVD também é feito em baixa pressão (vácuo). Quanto à temperatura de reação, apenas o LPCVD usa temperaturas elevadas e, até por isso, obtém excelente pureza nos materiais. O destaque do processo PECVD é que ele permite uma excelente cobertura a degraus que porventura existam na superfície da lâmina.