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O processo de epitaxia permite o crescimento ordenado sobre a superfície do silício monocristalino. Analise as afirmações abaixo. I. Pode-se crescer o mesmo material sobre o substrato, caso em que o processo é chamado de homoepitaxia. II. Pode-se crescer um material distinto sobre o substrato, caso em que o processo é chamado de heteroepitaxia. III. O processo de epitaxia pode ser feito em reatores CVD ou em reatores BEM (epitaxia por feixe molecular). IV. Nos processos de epitaxia, o substrato funciona como uma semente, ou seja, a camada depositada não acompanha a estrutura cristalina da lâmina. V. Embora muito eficiente, o processo de epitaxia não permite que a camada depositada tenha um nível de dopagem. Assinale a alternativa correta:
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O processo de epitaxia permite a criação de uma camada que segue a estrutura cristalina do substrato. Pode-se pensar nesse processo criando-se uma camada do próprio material do substrato (homoepitaxia) ou de um material que não seja o mesmo que o do substrato, mas cuja estrutura cristalina tenha parâmetros equivalentes de distanciamento entre átomos, como é o caso do arsenieto de gálio (heteroepitaxia). O processo de epitaxia pode ser feito em reatores CVD, vistos nas aulas anteriores, mas também pode ser feito em reatores especiais para esta finalidade, conhecidos como reatores para epitaxia por feixe molecular (MBE). No caso do MBE, os filmes podem ser feitos com imenso controle de espessura e composição.