Para se realizar a dopagem por implantação iônica, é necessário se acelerar os íons com uma determinada energia. Assinale a alternativa correta:

Question

Calculadora Univesp Gabarito · Accepted Answer

A resposta correta é a alternativa C: Quanto maior a energia de aceleração dos íons, maior sua profundidade de penetração, sendo que essas energias se encontram na faixa de 30 keV a 800 keV.

Marcone Santos · Answer

A energia de implantação é ajustada em função da profundidade que se deseja implantar os dopantes no material semicondutor. Na prática, como se deseja criar regiões com profundidade de implantação de décimos de micrômetros, até 1 ou 2 micrômetros (as chamadas junções rasas), utilizam-se energias na faixa de 30keV a 800keV. Note que 800keV quer dizer que um íon de carga positiva unitária deve ser acelerado por um potencial elétrico de 800 mil volts!

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