Quando dopamos um material estamos introduzindo intencionalmente impurezas que visam alterar as propriedades elétricas desse material. Considerando essa perspectiva, assinale a alt

Introduzindo-se átomos do grupo 3 no silício cristalino cria-se uma semicondutor extrínseco com abundância de elétrons livres, e portanto chamado de semicondutor tipo n.

Introduzindo-se átomos do grupo 5 no silício cristalino cria-se uma semicondutor extrínseco com abundância de lacunas (buracos), e portanto chamado de semicondutor tipo p.

Introduzindo-se átomos do grupo 3 no silício cristalino cria-se uma semicondutor extrínseco com abundância de lacunas, e portanto chamado de semicondutor tipo n.