Uma vez depositada uma camada na superfície de uma lâmina de silício, costumeiramente ela tem algumas partes removidas seletivamente, por meio de um processo conhecido como corrosão (etching em inglês). Assinale a alternativa correta:
Analise as afirmativas abaixo e escolha a alternativa correta. I. O processo APCVD, feito à pressão abaixo da atmosférica (vácuo), tem como vantagens o uso de um reator simples e confere uma rápida deposição à baixa temperatura. II. O processo LPCVD, feito à pressão abaixo da atmosférica (vácuo), permite a obtenção de materiais de excelente pureza, mas necessita ser realizado em alta temperatura. III. O processo PECVD, feito à pressão abaixo da atmosférica (vácuo), permite a obtenção de filmes com boa cobertura a degraus e a baixas temperaturas, mas está sujeito a contaminantes e partículas. IV. O processo APCVD, feito à pressão atmosférica, tem como vantagens o uso de um reator simples e confere uma rápida deposição à baixa temperatura. V. O processo LPCVD, feito à pressão abaixo da atmosférica (vácuo), permite a obtenção de óxidos e nitretos de silício, além de silício policristalino.
A implantação iônica se tornou o processo preferencial de dopagem para obtenção das regiões de dreno e fonte de transistores MOS, pois permite um controle eficaz de dose de cargas implantadas e delimitação da região e sua profundidade de implantação. Nesse sentido, assinale a alternativa correta:
A etapa de oxidação é feita em fornos que oxidam o próprio silício da lâmina, transformando-o em SiO2. Tendo isso como base, analise as seguintes afirmações: I. O controle de temperatura em um forno de oxidação deve ser de ±1°C para temperaturas da faixa de 600°C a 1280° II. Durante o processo de oxidação pirogênica, toma-se o cuidado para que o óxido cresça apenas na superfície superior da lâmina, onde serão construídos os circuitos integrados. III. No processo de oxidação térmica, 54% da espessura do óxido é crescida para além da superfície original da lâmina. IV. O aumento da espessura do óxido crescido termicamente se dá inicialmente de forma parabólica e, depois, adquire um comportamento linear. Assinale a alternativa correta:
Faça a associação entre as colunas, selecionando a alternativa que as preenche na ordem correta. (I) Fotorresiste Positivo () Não inverte as geometrias na superfície da lâmina (II) Fotorresiste Negativo () Inverte as geometrias na superfície da lâmina (III) Fotorresiste negativo exposto () Tem uma diminuição na sua taxa de revelação (IV) Fotorresiste positivo exposto () Tem um aumento na sua taxa de revelação
Após a exposição do fotorresiste, ocorre a etapa de revelação das estruturas. Essa etapa é feita tradicionalmente mergulhando a lâmina com fotorresiste em um banho químico conhecido como revelador. Para essa etapa de revelação, analise as seguintes afirmações: I. O fotorresiste positivo possui uma taxa de revelação cerca de 100 vezes maior quando ele é exposto em comparação a quando ele não é exposto à fonte de luz. II. O fotorresiste negativo é utilizado quando se fazem corrosões mais agressivas. III. A aplicação do forresiste sobre a lâmina pode ser feita por gotejamento, obtendo uma fina e regular camada por meio de centrifugação (spinning). IV. A fotogravação pode ser feita pela incidência de luz no óxido de silício e sua posterior revelação em uma solução adequada. V. Ao final do processo de fotogravação, é comum deixar o fotorresiste até a fabricação final do circuito integrado. Quais dessas afirmações estão corretas?
As salas limpas recebem uma classificação numérica em função da quantidade de partículas com um certo diâmetro que ocupam um volume específico de ar na sala (normalmente pés cúbicos). Faça a associação entre as colunas, selecionando a alternativa que preenche as lacunas na ordem correta. I - Sala Classe 1 (I) No máximo uma partícula com diâmetro ≥ 0,5μmpor pé cúbico de ar. II - Sala Classe 10 (II) No máximo dez partículas com diâmetro ≥ 0,5μmpor pé cúbico de ar. III - Sala Classe 100 (II) No máximo cem partículas com diâmetro ≥ 0,5μm por pé cúbico de ar. IV - Sala Classe 1000 (IV) No máximo mil partículas com diâmetro ≥ 0,5μm por pé cúbico de ar.
O processo de purificação do silício possui diversas etapas. Faça a associação entre as etapas e seu processo de obtenção, selecionando a alternativa que preenche as lacunas na ordem correta. I - Silício policristalino na forma granular (IV) Purificação por reação com HCL II - Crescimento do tarugo de silício monocristalino (II) Método de fusão zonal III - Corte da lâmina de silício (III) Usinagem e segmentação do tarugo de silício monocristalino IV - Obtenção de silício grau eletrônico (I) Método metalúrgico
Com relação à limpeza de uma sala limpa e considerando as seguintes afirmações: I. A limpeza da sala limpa depende da limpeza do ar II. A limpeza da sala limpa depende da quantidade de geração interna de contaminantes III. A limpeza da sala limpa depende da quantidade de pessoas IV. A limpeza da sala limpa depende do grau de atividade V. A limpeza da sala limpa depende do tipo de vestimenta utilizada Podemos afirmar que:
Quando dopamos um material estamos introduzindo intencionalmente impurezas que visam alterar as propriedades elétricas desse material. Considerando essa perspectiva, assinale a alternativa correta:
Com base na obra de Dalton, o planejamento do gerenciamento de pessoas tem o “plano de gerenciamento de pessoas” como um dos elementos do componente “saídas”. Qual dos itens a seguir faz parte do “plano de gerenciamento de pessoas”?
O componente “saídas” do planejamento do gerenciamento da qualidade é composto por um conjunto de elementos. Qual dos itens abaixo não é um elemento desse componente?
Com base na obra de Dalton Valeriano, o planejamento do gerenciamento da qualidade tem alguns componentes. Um desses componentes é definido como “entradas”. Qual dos itens abaixo não é um elemento desse componente?
Com base na obra de Dalton Valeriano, a qualidade se constitui como o mais importante atributo de uma entidade. Nesse conceito, qual dos itens abaixo não é uma entidade?
Com base na obra de Fábio Câmara, estimar o tempo de uma atividade em um projeto depende das seguintes informações sobre o projeto como um todo, exceto:
