A afirmativa “Pode-se obter camadas epitaxiais na faixa de temperatura de 500 – 800o C, com interfaces e perfil de dopagens ultra abruptas”, refere-se a qual técnica de crescimento epitaxial?

A epitaxia pode ser entendida como sendo um processo de:

Com relação aos requisitos da metalização, avalie as afirmativas a seguir: I. Ter baixa condutividade. II. Suportar bem as variações de altas temperaturas em um circuito integrado durante o seu processo de fabricação e utilização. III. Ser compatível com as técnicas de fotogravação. IV. Produzir contato ôhmico de alta resistência com silício. Das informações listadas, as que são totalmente assertivas com relação aos requisitos da metalização são:

Com relação ao processo de metalização, não se pode afirmar que:

O que não se pode afirmar com relação ao processo de metalização:

Todas as informações listadas referem-se ao processo conhecido como epitaxia. As afirmativas estão corretas, exceto:

Com relação ao silício policristalino, formado a partir do processo de deposição denominado epitaxia, avalie as afirmativas a seguir: I. Formam regiões que podem ser usadas para interconectar dispositivos. II. São camadas levemente dopadas. III. Formam regiões de baixa condutividade. IV. São camadas fortemente dopadas para formar uma região de alta condutividade. Das informações listadas acima, as que são totalmente assertivas com relação ao silício policristalino são:

Qual é o objetivo da etapa de metalização dentro do processo de fabricação de circuitos integrados?

A oxidação é um dos passos mais frequentes no processo de fabricação do circuito integrado. Assinale a alternativa que não representa uma forma de uso da oxidação.

Com relação ao fotorresiste, avalie as características a seguir. I. É um material que altera sua solubilidade quando exposto a luz ultravioleta. II. Não possui boa estabilidade térmica. III. Possui boa adesão sobre a superfície da pastilha. IV. É um material homogêneo. Das características listadas acima, as que são totalmente assertivas com relação ao fotorresiste são:

Assinale a alternativa que indica as etapas de produção da lâmina de silício.

Com relação a uma sala limpa de microeletrônica, avalie as características a seguir. I. Salas limpas de microeletrônica são construídas com materiais que não geram partículas. II. A limpeza do ar transportado depende da quantidade, e não da qualidade do ar insuflado para dentro dela. III. Salas limpas de microeletrônica dependem da quantidade de pessoas. IV. Salas limpas de microeletrônica dependem da quantidade de geração interna dos contaminantes. V. Salas limpas de microeletrônica independem do tipo de vestimenta das pessoas que circulam na sala. VI. Existe um número elevado de pessoas operando os equipamentos em salas limpas de microeletrônica. VII. Neste ambiente são controlados a temperatura, umidade, fluxo de ar, poeira, partículas suspensas e vapores químicos. Das características listadas, as que são totalmente assertivas com relação à sala limpa são:

Na natureza existem alguns materiais semicondutores, sendo que o silício é um desses materiais que recebem mais atenção da indústria semicondutora. Assinale a alternativa que justifica o uso do silício pela indústria semicondutora:

A resistividade do alumínio é da ordem de 3´10-10ohm.cm e a do silício policristalino dopado é da ordem de 10 miliohm.cm. Segundo os dados apresentados em aula, a condutividade da maioria dos silicetos pode ser considerada:

Os processos de deposição física podem ser divididos em duas categorias, aqueles que dependem do aquecimento da fonte sólida de material e aqueles que dependem do bombardeamento da superfície da fonte sólida de material. Quanto a este último é correto afirmar que:

Um evaporador térmico opera a 980oC, sendo que se deseja evaporar termicamente Alumínio (que tem massa molar M = 27g) a uma pressão de vapor de 10-4 Torr. Nessas condições, qual a taxa de evaporação (R) do alumínio?

Referindo-se ao comportamento da concentração de dopantes obtidas por epitaxia quando se utiliza diborano (B2H6), arsina (AsH3) e fosfina (PH3), analise as afirmações abaixo: I. Quando se utiliza processos epitaxiais com diborano, a concentração de dopantes aumenta com a temperatura de crescimento e, com fosfina e arsina, a concentração de dopantes diminui com a temperatura. II. Quando se utiliza processos epitaxiais com fosfina, a concentração de dopantes aumenta com a temperatura de crescimento e, com diborano e arsina, a concentração de dopantes diminui com a temperatura. III. Quando se utiliza processos epitaxiais com diborano e com arsina, a concentração de dopantes obtida é praticamente a mesma ao se trabalhar com uma temperatura de crescimento de aproximadamente 1100oC. IV. Quando se utiliza processos epitaxiais com diborano e com fosfina, a concentração de dopantes obtida é praticamente a mesma ao se trabalhar com uma temperatura de crescimento de aproximadamente 1100oC. V. Quando se utiliza processos epitaxiais em torno de 1300oC de temperatura de crescimento, a concentração de dopantes obtida, empregando-se diborano, é cerca de 10 vezes maior que aquela obtida com arsina. Assinale a alternativa correta:

O processo de epitaxia permite o crescimento ordenado sobre a superfície do silício monocristalino. Analise as afirmações abaixo. I. Pode-se crescer o mesmo material sobre o substrato, caso em que o processo é chamado de homoepitaxia. II. Pode-se crescer um material distinto sobre o substrato, caso em que o processo é chamado de heteroepitaxia. III. O processo de epitaxia pode ser feito em reatores CVD ou em reatores BEM (epitaxia por feixe molecular). IV. Nos processos de epitaxia, o substrato funciona como uma semente, ou seja, a camada depositada não acompanha a estrutura cristalina da lâmina. V. Embora muito eficiente, o processo de epitaxia não permite que a camada depositada tenha um nível de dopagem. Assinale a alternativa correta:

Vimos que vários materiais podem ser depositados sobre a superfície de silício. Em particular, o processo de deposição CVD permite depositar dielétricos, condutores e semicondutores, mas existe um tipo de material que não pode ser depositado por meio desse processo. Este material é:

Para se realizar a dopagem por implantação iônica, é necessário se acelerar os íons com uma determinada energia. Assinale a alternativa correta:

O processo de implantação iônica, utilizado para dopar o silício, também ocorre, só que de maneira indesejada, no processo de corrosão seca. Assinale a alternativa correta:

Um reator de deposição por PECVD é muito similar em termos construtivos a um reator de corrosão seca RIE. Em relação aos 2 tipos de reatores, analise as afirmativas abaixo e selecione a alternativa correta: I. utiliza-se vácuo. II. utiliza-se uma fonte de energia por radiofrequência (RF). III. há a existência de um plasma (gás ionizado e eletricamente neutro). IV. injetam-se gases para promover as reações. V. não se controla a vazão dos líquidos ou gases injetados.

Considerando processos de corrosão (etching em inglês) assinale a alternativa correta:

A corrosão seca pode ser feita em reatores chamados de RIE (corrosão por íons reativos ou reactive ion etching em inglês). Nesses reatores, o processo de corrosão é uma combinação de reações químicas e bombardeamento físico da superfície da lâmina. Em relação à corrosão RIE, analise as afirmativas abaixo e escolha a alternativa correta. I. O fotorresiste (CxHyOz) pode ser corroído usando-se oxigênio (O2) como gás, sendo que os produtos da reação envolvem óxidos de carbono (COx) e vapor de água (H2O) II. Óxido de silício (SiO2) pode ser corroído utilizando-se gás freon (CF4) e hidrogênio (H2), gerando como produtos finais um fluoreto de silício (SiF4) e oxigênio monoatômico (O) que são produtos voláteis. III. No processo de corrosão seca do fotorresiste por RIE o mecanismo preponderante de corrosão é o processo químico. IV. No processo de corrosão seca do óxido de silício por RIE, procura-se gerar através das reações químicas um polímero para proteger as paredes que não se deseja corroer. V. Injeta-se um gás como freon (CF4) em um reator RIE para se corroer SiO2, sendo que todo o processo é feito à pressão atmosférica.

Uma vez depositada uma camada na superfície de uma lâmina de silício, costumeiramente ela tem algumas partes removidas seletivamente, por meio de um processo conhecido como corrosão (etching em inglês). Assinale a alternativa correta:

Analise as afirmativas abaixo e escolha a alternativa correta. I. O processo APCVD, feito à pressão abaixo da atmosférica (vácuo), tem como vantagens o uso de um reator simples e confere uma rápida deposição à baixa temperatura. II. O processo LPCVD, feito à pressão abaixo da atmosférica (vácuo), permite a obtenção de materiais de excelente pureza, mas necessita ser realizado em alta temperatura. III. O processo PECVD, feito à pressão abaixo da atmosférica (vácuo), permite a obtenção de filmes com boa cobertura a degraus e a baixas temperaturas, mas está sujeito a contaminantes e partículas. IV. O processo APCVD, feito à pressão atmosférica, tem como vantagens o uso de um reator simples e confere uma rápida deposição à baixa temperatura. V. O processo LPCVD, feito à pressão abaixo da atmosférica (vácuo), permite a obtenção de óxidos e nitretos de silício, além de silício policristalino.

Considerando a etapa de deposição de materiais sobre uma lâmina de silício, selecione a afirmativa correta:

A implantação iônica se tornou o processo preferencial de dopagem para obtenção das regiões de dreno e fonte de transistores MOS, pois permite um controle eficaz de dose de cargas implantadas e delimitação da região e sua profundidade de implantação. Nesse sentido, assinale a alternativa correta:

A etapa de oxidação é feita em fornos que oxidam o próprio silício da lâmina, transformando-o em SiO2. Tendo isso como base, analise as seguintes afirmações: I. O controle de temperatura em um forno de oxidação deve ser de ±1°C para temperaturas da faixa de 600°C a 1280° II. Durante o processo de oxidação pirogênica, toma-se o cuidado para que o óxido cresça apenas na superfície superior da lâmina, onde serão construídos os circuitos integrados. III. No processo de oxidação térmica, 54% da espessura do óxido é crescida para além da superfície original da lâmina. IV. O aumento da espessura do óxido crescido termicamente se dá inicialmente de forma parabólica e, depois, adquire um comportamento linear. Assinale a alternativa correta:

Faça a associação entre as colunas, selecionando a alternativa que as preenche na ordem correta. (I) Fotorresiste Positivo () Não inverte as geometrias na superfície da lâmina (II) Fotorresiste Negativo () Inverte as geometrias na superfície da lâmina (III) Fotorresiste negativo exposto () Tem uma diminuição na sua taxa de revelação (IV) Fotorresiste positivo exposto () Tem um aumento na sua taxa de revelação

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A afirmativa “Pode-se obter camadas epitaxiais na faixa de temperatura de 500 – 800o C, com interfaces e perfil de dopagens ultra abruptas”, refere-se a qual técnica de crescimento

A epitaxia pode ser entendida como sendo um processo de:

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Com relação aos requisitos da metalização, avalie as afirmativas a seguir: I. Ter baixa condutividade. II. Suportar bem as variações de altas temperaturas em um circuito integrado

Com relação ao processo de metalização, não se pode afirmar que:

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O que não se pode afirmar com relação ao processo de metalização:

Todas as informações listadas referem-se ao processo conhecido como epitaxia. As afirmativas estão corretas, exceto:

Com relação ao silício policristalino, formado a partir do processo de deposição denominado epitaxia, avalie as afirmativas a seguir: I. Formam regiões que podem ser usadas para in

Qual é o objetivo da etapa de metalização dentro do processo de fabricação de circuitos integrados?

A oxidação é um dos passos mais frequentes no processo de fabricação do circuito integrado. Assinale a alternativa que não representa uma forma de uso da oxidação.

Com relação ao fotorresiste, avalie as características a seguir. I. É um material que altera sua solubilidade quando exposto a luz ultravioleta. II. Não possui boa estabilidade tér

Assinale a alternativa que indica as etapas de produção da lâmina de silício.

Com relação a uma sala limpa de microeletrônica, avalie as características a seguir. I. Salas limpas de microeletrônica são construídas com materiais que não geram partículas. II.

Na natureza existem alguns materiais semicondutores, sendo que o silício é um desses materiais que recebem mais atenção da indústria semicondutora. Assinale a alternativa que justi

A resistividade do alumínio é da ordem de 3´10-10ohm.cm e a do silício policristalino dopado é da ordem de 10 miliohm.cm. Segundo os dados apresentados em aula, a condutividade da

Os processos de deposição física podem ser divididos em duas categorias, aqueles que dependem do aquecimento da fonte sólida de material e aqueles que dependem do bombardeamento da

Um evaporador térmico opera a 980oC, sendo que se deseja evaporar termicamente Alumínio (que tem massa molar M = 27g) a uma pressão de vapor de 10-4 Torr. Nessas condições, qual a

Referindo-se ao comportamento da concentração de dopantes obtidas por epitaxia quando se utiliza diborano (B2H6), arsina (AsH3) e fosfina (PH3), analise as afirmações abaixo: I. Qu

O processo de epitaxia permite o crescimento ordenado sobre a superfície do silício monocristalino. Analise as afirmações abaixo. I. Pode-se crescer o mesmo material sobre o substr

Vimos que vários materiais podem ser depositados sobre a superfície de silício. Em particular, o processo de deposição CVD permite depositar dielétricos, condutores e semicondutore

Para se realizar a dopagem por implantação iônica, é necessário se acelerar os íons com uma determinada energia. Assinale a alternativa correta:

O processo de implantação iônica, utilizado para dopar o silício, também ocorre, só que de maneira indesejada, no processo de corrosão seca. Assinale a alternativa correta:

Um reator de deposição por PECVD é muito similar em termos construtivos a um reator de corrosão seca RIE. Em relação aos 2 tipos de reatores, analise as afirmativas abaixo e seleci

Considerando processos de corrosão (etching em inglês) assinale a alternativa correta:

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Uma vez depositada uma camada na superfície de uma lâmina de silício, costumeiramente ela tem algumas partes removidas seletivamente, por meio de um processo conhecido como corrosã

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Considerando a etapa de deposição de materiais sobre uma lâmina de silício, selecione a afirmativa correta:

A implantação iônica se tornou o processo preferencial de dopagem para obtenção das regiões de dreno e fonte de transistores MOS, pois permite um controle eficaz de dose de cargas

A etapa de oxidação é feita em fornos que oxidam o próprio silício da lâmina, transformando-o em SiO2. Tendo isso como base, analise as seguintes afirmações: I. O controle de tempe

Faça a associação entre as colunas, selecionando a alternativa que as preenche na ordem correta. (I) Fotorresiste Positivo (__) Não inverte as geometrias na superfície da lâmina (I