Sobre Manutenção Centrada em Confiabilidade (MCC), observe as afirmações abaixo e assinale a alternativa correta: I. Com base na natureza da falha e do componente, a manutenção pode ser classificada como Reativa, Preventiva, Preditiva ou Proativa; II. O MCC trabalha sempre levando em consideração a averiguação, o tempo e a condição da atividade de manutenção a ser realizada; III. A MCC tem por base a função do componente individual, e não a função do sistema.
Sobre FMEA, observe as afirmações abaixo e assinale a alternativa correta: I. Uma importante ferramenta do FMEA é a divisão de um sistema em subsistemas, até o nível de cada componente. Essa análise visa a identificação de falhas potenciais; II. O FMEA prioriza suas falhas com base em probabilidade de ocorrência da falha, sua severidade e possibilidade de detecção; III. Para análise de causa e efeito das falhas, o FMEA utiliza o diagrama 6M, também conhecido como “espinha de peixe”.
Sobre ferramentas para aumento da qualidade em sistemas de manutenção, observe as afirmações abaixo e assinale a alternativa correta: I. O brainstorming consiste no reconhecimento e utilização das melhores práticas utilizadas por outras instituições; II. O 5W2H consiste em um conjunto de sete perguntas que auxiliarão na estruturação da solução a ser encontrada por um sistema de manutenção; III. Os cinco sensos (5S) é uma ferramenta de qualidade originada no Japão, que visa boas práticas de trabalho baseadas em descarte, organização, limpeza, higiene, segurança e padronização.
A resistividade do alumínio é da ordem de 3´10-10ohm.cm e a do silício policristalino dopado é da ordem de 10 miliohm.cm. Segundo os dados apresentados em aula, a condutividade da maioria dos silicetos pode ser considerada:
Os processos de deposição física podem ser divididos em duas categorias, aqueles que dependem do aquecimento da fonte sólida de material e aqueles que dependem do bombardeamento da superfície da fonte sólida de material. Quanto a este último é correto afirmar que:
Um evaporador térmico opera a 980oC, sendo que se deseja evaporar termicamente Alumínio (que tem massa molar M = 27g) a uma pressão de vapor de 10-4 Torr. Nessas condições, qual a taxa de evaporação (R) do alumínio?
Referindo-se ao comportamento da concentração de dopantes obtidas por epitaxia quando se utiliza diborano (B2H6), arsina (AsH3) e fosfina (PH3), analise as afirmações abaixo: I. Quando se utiliza processos epitaxiais com diborano, a concentração de dopantes aumenta com a temperatura de crescimento e, com fosfina e arsina, a concentração de dopantes diminui com a temperatura. II. Quando se utiliza processos epitaxiais com fosfina, a concentração de dopantes aumenta com a temperatura de crescimento e, com diborano e arsina, a concentração de dopantes diminui com a temperatura. III. Quando se utiliza processos epitaxiais com diborano e com arsina, a concentração de dopantes obtida é praticamente a mesma ao se trabalhar com uma temperatura de crescimento de aproximadamente 1100oC. IV. Quando se utiliza processos epitaxiais com diborano e com fosfina, a concentração de dopantes obtida é praticamente a mesma ao se trabalhar com uma temperatura de crescimento de aproximadamente 1100oC. V. Quando se utiliza processos epitaxiais em torno de 1300oC de temperatura de crescimento, a concentração de dopantes obtida, empregando-se diborano, é cerca de 10 vezes maior que aquela obtida com arsina. Assinale a alternativa correta:
O processo de epitaxia permite o crescimento ordenado sobre a superfície do silício monocristalino. Analise as afirmações abaixo. I. Pode-se crescer o mesmo material sobre o substrato, caso em que o processo é chamado de homoepitaxia. II. Pode-se crescer um material distinto sobre o substrato, caso em que o processo é chamado de heteroepitaxia. III. O processo de epitaxia pode ser feito em reatores CVD ou em reatores BEM (epitaxia por feixe molecular). IV. Nos processos de epitaxia, o substrato funciona como uma semente, ou seja, a camada depositada não acompanha a estrutura cristalina da lâmina. V. Embora muito eficiente, o processo de epitaxia não permite que a camada depositada tenha um nível de dopagem. Assinale a alternativa correta:
Vimos que vários materiais podem ser depositados sobre a superfície de silício. Em particular, o processo de deposição CVD permite depositar dielétricos, condutores e semicondutores, mas existe um tipo de material que não pode ser depositado por meio desse processo. Este material é:
O processo de implantação iônica, utilizado para dopar o silício, também ocorre, só que de maneira indesejada, no processo de corrosão seca. Assinale a alternativa correta:
Um reator de deposição por PECVD é muito similar em termos construtivos a um reator de corrosão seca RIE. Em relação aos 2 tipos de reatores, analise as afirmativas abaixo e selecione a alternativa correta: I. utiliza-se vácuo. II. utiliza-se uma fonte de energia por radiofrequência (RF). III. há a existência de um plasma (gás ionizado e eletricamente neutro). IV. injetam-se gases para promover as reações. V. não se controla a vazão dos líquidos ou gases injetados.
A corrosão seca pode ser feita em reatores chamados de RIE (corrosão por íons reativos ou reactive ion etching em inglês). Nesses reatores, o processo de corrosão é uma combinação de reações químicas e bombardeamento físico da superfície da lâmina. Em relação à corrosão RIE, analise as afirmativas abaixo e escolha a alternativa correta. I. O fotorresiste (CxHyOz) pode ser corroído usando-se oxigênio (O2) como gás, sendo que os produtos da reação envolvem óxidos de carbono (COx) e vapor de água (H2O) II. Óxido de silício (SiO2) pode ser corroído utilizando-se gás freon (CF4) e hidrogênio (H2), gerando como produtos finais um fluoreto de silício (SiF4) e oxigênio monoatômico (O) que são produtos voláteis. III. No processo de corrosão seca do fotorresiste por RIE o mecanismo preponderante de corrosão é o processo químico. IV. No processo de corrosão seca do óxido de silício por RIE, procura-se gerar através das reações químicas um polímero para proteger as paredes que não se deseja corroer. V. Injeta-se um gás como freon (CF4) em um reator RIE para se corroer SiO2, sendo que todo o processo é feito à pressão atmosférica.
Uma vez depositada uma camada na superfície de uma lâmina de silício, costumeiramente ela tem algumas partes removidas seletivamente, por meio de um processo conhecido como corrosão (etching em inglês). Assinale a alternativa correta:
Analise as afirmativas abaixo e escolha a alternativa correta. I. O processo APCVD, feito à pressão abaixo da atmosférica (vácuo), tem como vantagens o uso de um reator simples e confere uma rápida deposição à baixa temperatura. II. O processo LPCVD, feito à pressão abaixo da atmosférica (vácuo), permite a obtenção de materiais de excelente pureza, mas necessita ser realizado em alta temperatura. III. O processo PECVD, feito à pressão abaixo da atmosférica (vácuo), permite a obtenção de filmes com boa cobertura a degraus e a baixas temperaturas, mas está sujeito a contaminantes e partículas. IV. O processo APCVD, feito à pressão atmosférica, tem como vantagens o uso de um reator simples e confere uma rápida deposição à baixa temperatura. V. O processo LPCVD, feito à pressão abaixo da atmosférica (vácuo), permite a obtenção de óxidos e nitretos de silício, além de silício policristalino.
A implantação iônica se tornou o processo preferencial de dopagem para obtenção das regiões de dreno e fonte de transistores MOS, pois permite um controle eficaz de dose de cargas implantadas e delimitação da região e sua profundidade de implantação. Nesse sentido, assinale a alternativa correta:
A etapa de oxidação é feita em fornos que oxidam o próprio silício da lâmina, transformando-o em SiO2. Tendo isso como base, analise as seguintes afirmações: I. O controle de temperatura em um forno de oxidação deve ser de ±1°C para temperaturas da faixa de 600°C a 1280° II. Durante o processo de oxidação pirogênica, toma-se o cuidado para que o óxido cresça apenas na superfície superior da lâmina, onde serão construídos os circuitos integrados. III. No processo de oxidação térmica, 54% da espessura do óxido é crescida para além da superfície original da lâmina. IV. O aumento da espessura do óxido crescido termicamente se dá inicialmente de forma parabólica e, depois, adquire um comportamento linear. Assinale a alternativa correta:
Faça a associação entre as colunas, selecionando a alternativa que as preenche na ordem correta. (I) Fotorresiste Positivo () Não inverte as geometrias na superfície da lâmina (II) Fotorresiste Negativo () Inverte as geometrias na superfície da lâmina (III) Fotorresiste negativo exposto () Tem uma diminuição na sua taxa de revelação (IV) Fotorresiste positivo exposto () Tem um aumento na sua taxa de revelação
Após a exposição do fotorresiste, ocorre a etapa de revelação das estruturas. Essa etapa é feita tradicionalmente mergulhando a lâmina com fotorresiste em um banho químico conhecido como revelador. Para essa etapa de revelação, analise as seguintes afirmações: I. O fotorresiste positivo possui uma taxa de revelação cerca de 100 vezes maior quando ele é exposto em comparação a quando ele não é exposto à fonte de luz. II. O fotorresiste negativo é utilizado quando se fazem corrosões mais agressivas. III. A aplicação do forresiste sobre a lâmina pode ser feita por gotejamento, obtendo uma fina e regular camada por meio de centrifugação (spinning). IV. A fotogravação pode ser feita pela incidência de luz no óxido de silício e sua posterior revelação em uma solução adequada. V. Ao final do processo de fotogravação, é comum deixar o fotorresiste até a fabricação final do circuito integrado. Quais dessas afirmações estão corretas?
As salas limpas recebem uma classificação numérica em função da quantidade de partículas com um certo diâmetro que ocupam um volume específico de ar na sala (normalmente pés cúbicos). Faça a associação entre as colunas, selecionando a alternativa que preenche as lacunas na ordem correta. I - Sala Classe 1 (I) No máximo uma partícula com diâmetro ≥ 0,5μmpor pé cúbico de ar. II - Sala Classe 10 (II) No máximo dez partículas com diâmetro ≥ 0,5μmpor pé cúbico de ar. III - Sala Classe 100 (II) No máximo cem partículas com diâmetro ≥ 0,5μm por pé cúbico de ar. IV - Sala Classe 1000 (IV) No máximo mil partículas com diâmetro ≥ 0,5μm por pé cúbico de ar.
